14:55 EUV 공정이 힘든 이유를 정정하자면, EUV의 에너지가 너무 강력해서 어떠한 물질이든 만나기만하면 다 흡수되어 버리기 때문입니다. 따라서 매우 높은 진공도를 필요하게 됩니다. (진공이 아니면 쓸수가 없습니다) 물질이 빛을 흡수하는 현상은, 물질의 Valence Band(VB)에 있는 Electron이 Conduction Band(CB)로 여기되면서 발생하는데요, 현재 ArF 노광 공정에서 Mask 재료로 석영(quartz)을 사용하는 이유가 바로 이 Band Gap(VB와 CB의 gap) 에너지 때문입니다. ArF는 193nm의 파장에 약 6.4eV 정도의 에너지를 가지는 반면, 석영의 band gap은 약 9eV정도 되기 때문에 ArF가 Mask를 지나면서 흡수되지 않고 통과할 수 있기 때문입니다. (Mask위에 metal(보통 Cu) pattern을 깔아놓으면 metal 부분에만 ArF가 흡수되어 패턴 식각이 가능한 원리) 그런데, EUV는 13.5nm의 단파장에 90eV가 넘는 높은 에너지를 갖습니다. ArF에 15배 정도의 높은 에너지죠. 즉, 석영이고 뭐고 모든 물질에 흡수되는 성질이 있습니다. 그래서 기존의 Mask 방식에 한계가 생겨버렸고 어거지로 생산하다보니 단가가 매우 높은 상황이죠. 그래서 펠리클 개발이니 뭐니 난리인 것이구요..
EUV는 ASML이라는 네델란드 업체에서만 생산합니다. 그런데, 문제는 공정을 할때 들어가는 물질인 불화수소(에칭가스)와 감광액 때문입니다. EUV 작업은 포토리소그라피 과정중 노광과정 뿐이고, 전 포토리스그라피 과정을 하기 위해서는 반도체 공정에 필요한 물질인 감광액, 에칭가스 등 여러가지 물질 등이 필요한데, 현재 일본에서 3개 품목에 대해 수출 금지를 시켰어요. 그중 감광액과 에칭가스(불화수소)가 EUV 과정중에 치명적인 문제가 되는 것입니다.
![[ENG]언니처럼 되고픈 후이곰쥬의 외침🌞 feat.찐햇살루이｜#판다와쏭 #155 #아이러푸루후](http://i.ytimg.com/vi/fVpNSP9D7Lg/mqdefault.jpg)
![[공정 소개] SK hynix Wafer Fabrication](/img/0.gif)
팩트에 근거한 풍부한 자료 고마워요~~~ 전문지식 많이 배웁니다.
감사합니다^^
유용한 정보 공유해 주셔서
감사합니다
^^~~~♥
좋은영상 너무감사합니다
좋은 자료입니다. 정말 도움 많이 되었습니다.
14:55
EUV 공정이 힘든 이유를 정정하자면, EUV의 에너지가 너무 강력해서 어떠한 물질이든 만나기만하면 다 흡수되어 버리기 때문입니다. 따라서 매우 높은 진공도를 필요하게 됩니다. (진공이 아니면 쓸수가 없습니다)
물질이 빛을 흡수하는 현상은, 물질의 Valence Band(VB)에 있는 Electron이 Conduction Band(CB)로 여기되면서 발생하는데요, 현재 ArF 노광 공정에서 Mask 재료로 석영(quartz)을 사용하는 이유가 바로 이 Band Gap(VB와 CB의 gap) 에너지 때문입니다. ArF는 193nm의 파장에 약 6.4eV 정도의 에너지를 가지는 반면, 석영의 band gap은 약 9eV정도 되기 때문에 ArF가 Mask를 지나면서 흡수되지 않고 통과할 수 있기 때문입니다. (Mask위에 metal(보통 Cu) pattern을 깔아놓으면 metal 부분에만 ArF가 흡수되어 패턴 식각이 가능한 원리)
그런데, EUV는 13.5nm의 단파장에 90eV가 넘는 높은 에너지를 갖습니다. ArF에 15배 정도의 높은 에너지죠. 즉, 석영이고 뭐고 모든 물질에 흡수되는 성질이 있습니다. 그래서 기존의 Mask 방식에 한계가 생겨버렸고 어거지로 생산하다보니 단가가 매우 높은 상황이죠. 그래서 펠리클 개발이니 뭐니 난리인 것이구요..
ㅆㅅㅌㅊ....
좋은 영상 감사합니다
감사합니다
감사합니다!
오...너무 알찬데?? 너무 감사합니다!
ASML 주식을 살려고 공부하려다가 마침 들려서 잘 배우고 갑니다^^ 고맙습니다 🙇♀️
다음주 삼성전자 최종면접인데 정말 너무 이해가 잘 되었어요 ㅠㅠ 감사합니다 !
일반인들은 어디서도 보지못하는 여러자료들이네요...좋았어요...
ASML Extension Roadmap에서 55WPH는 55W를 의미하는게 아닙니다. 시간당 55매 생산성(wafer per hour)을 갖는다는 의미이며, 참고로 125wph에 생산성을 가지려면 약 205W가 필요합니다.
14:52 EUV는 에너지가 너무 약한게 아니라 너무 쎄서 흡수됩니다.
에너지가 쎄기 때문에 발열도 심하구여
일본 hoya. 국내 에프에스티, 에스앤에스텍 같은 종목 분석 한번 부탁 드려봅니다.
그러니깐 이 EUV 장비를 쓸 수 있는 곳이 삼성과 tsmc 두 곳이 있는거네요?
파운더리분야와 얼마나 공정이 겹치나요?
삼성이 euv공정 비메모분야에 진줄하는것과
tsmc가 euv공정 메모리 분야에 진출하는것중 어느쪽이 더 용이할까요?
궁금합니다.
비메모리에 가야 더 좋죠 궂이 euv를 메모리에 쓰기엔 가성비가...,근데 지금은 삼성이 euv놀리기그래서 ddr5에euv쓴다고 들었어요
W가 높아지면 tact time이 줄어드나요?
숨 넘어갈것 같아 뒤로 갑니다
EUV에서 질문하나 드립니다 현재 어느나라가 독점하고 있나요? ASML이 네덜란드 회사인 걸로 알고 있는데 왜 최근 삼성이 일본때문에 EUV생산에 차질이 생긴건가요??
EUV는 ASML이라는 네델란드 업체에서만 생산합니다.
그런데, 문제는 공정을 할때 들어가는 물질인 불화수소(에칭가스)와 감광액 때문입니다.
EUV 작업은 포토리소그라피 과정중 노광과정 뿐이고,
전 포토리스그라피 과정을 하기 위해서는 반도체 공정에 필요한 물질인 감광액, 에칭가스 등 여러가지 물질 등이 필요한데,
현재 일본에서 3개 품목에 대해 수출 금지를 시켰어요.
그중 감광액과 에칭가스(불화수소)가 EUV 과정중에 치명적인 문제가 되는 것입니다.
노광 장비는 네덜란드 ASML이란 회사에서 만들지만, lithograhpy 공정에 필요한 재료(Photo Resist)는 대부분 일본 회사에서 공급합니다.
노광 장비를 이용해 태우는게 아니라 polymer 사슬을 끊거나 이어줍니다. 그리고 디벨롭 공정으로 사슬이 끊긴 polymer를 제거해줍니다.
잘 들었습니다. 왠만한 사람은 들어도 모르겠네요. 양자역학을 조금이라도 알지 못하면 이해 못하실듯. 이 공정이 더 미세화 되면 한계를 맞을 밖에 없다더니 이해하는데 도움이 됐습니다. 감사합니다.
결국 EUV 가 기존 Arv 보다 해상도가 좋아졌다고 볼 수 있네요...
똑같은 앞 세글자 쓰는 ASM 다니지만 왜 장비 차이는 심한가 허허...EUV진짜 대단! ASML 짱짱맨
파장이 짧을수록 에너지가 커진다고 알고있는데, 약한 전파라고 설명을 하셔서 무엇이 다른지 궁금합니다!
그냥 잘못 설명하신듯
많이 틀렸다...
1500억이 더 정확